서브메뉴
검색
상세정보
RF Sputtering으로 제작한 SiO₂ 및 SiO₂/TiN 박막의 R-V 특성
RF Sputtering으로 제작한 SiO₂ 및 SiO₂/TiN 박막의 R-V 특성
상세정보
- 자료유형
- 기사색인
- 청구기호
- 서명/저자
- RF Sputtering으로 제작한 SiO₂ 및 SiO₂/TiN 박막의 R-V 특성 / 김창석 ; 하충기 ; 김병인
- 발행사항
- 형태사항
- pp. 826-832 ; 27 cm.
- 키워드
- 기타저자
- 기타저자
- 기타저자
- 기본자료저록
- 전기전자재료학회논문지/한국전기전자재료학회. 제11권 제10호
MARC
008981117s1998 ulka kor■001MOKWON00207941
■00520021016155125
■007ta
■008981117s1998 ulka kor
■040 ▼a225006▼c225006▼d225006
■090 ▼a620.11297▼b한17
■245 ▼aRF Sputtering으로 제작한 SiO₂ 및 SiO₂/TiN 박막의 R-V 특성▼d김창석▼e하충기▼e김병인
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c1998.
■300 ▼app. 826-832▼c27 cm.
■653 ▼aRF Sputtering▼aSputtering▼aSiO₂▼aSiO₂/TiN▼a박막▼aR-V
■700 ▼a김창석
■700 ▼a하충기
■700 ▼a김병인
■773 ▼t전기전자재료학회논문지/한국전기전자재료학회▼g제11권 제10호
