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SOI edge channel과 나노 점을 갖는 나노 구조의 기억소자
SOI edge channel과 나노 점을 갖는 나노 구조의 기억소자
상세정보
- 자료유형
- 기사색인
- ISSN
- 1226-5845
- 청구기호
- 서명/저자
- SOI edge channel과 나노 점을 갖는 나노 구조의 기억소자 / 박근숙 ; 한상연 ; 신형철
- 발행사항
- 형태사항
- pp. 48-52 ; 27 cm.
- 키워드
- 기타저자
- 기타저자
- 기타저자
- 기본자료저록
- 전자공학회논문지-D/대한전자공학회. 제35권 D편 12회
MARC
008990113s1998 ulka kor■001MOKWON00216233
■00520030317131044
■007ta
■008990113s1998 ulka kor
■022 ▼a1226-5845
■040 ▼a225006▼c225006▼d225006
■090 ▼a621.38104▼b전71
■245 ▼aSOI edge channel과 나노 점을 갖는 나노 구조의 기억소자▼d박근숙▼e한상연▼e신형철
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c1998.
■300 ▼app. 48-52▼c27 cm.
■653 ▼aSOI▼aedge▼achannel▼a나노▼a구조▼a기억소자
■700 ▼a박근숙
■700 ▼a한상연
■700 ▼a신형철
■773 ▼t전자공학회논문지-D/대한전자공학회▼g제35권 D편 12회
